半导体和集成电路无损显微分层内窥的新方法

摘要：

@@ 本文中我们首次在这里公布近些年来我们对半导体材料及微电子器件进行无损显微分层内窥新方法(简称显微分层内窥法)的一些电子显微镜照片及研究结果.这个方法目前已可应用到对半导体材料的亚表面层内的微结构和缺陷进行检测.亚表面层内的微结构状况和缺陷的有无及多少,将直接地决定着用这些材料制作的微电子器件的质量.对亚表面层内有缺陷的半导体材料可以用我们按照显微分层内窥法研制成的扫描电子显微镜(SEM)的专用附件--托莫(下称SETM)来加装到SEM上,对投料生产微电子器件前的半导体材料的亚表面层进行无损显微分层内窥检测,筛选出合格的半导体材料来投入微电子器件的研制和生产,从而保证提高微电子器件的成品率及可靠性,进而提高经济效益.

机标关键词：半导体材料、集成电路、无损、显微分层内窥法、新方法、微电子器件、亚表面层、扫描电子显微镜、结构和缺陷、生产、内窥检测、经济效益、结构状况、材料制作、可靠性、方法目、成品率、质量、照片、应用

所属期刊栏目：19

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：科技部科研项目;国家自然科学基金;云南省应用基础研究项目

在线出版日期：2006-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：585-586