SEM中用表面电子束激励势法研究半导体特性

摘要：

@@ 本文考虑用一种新的非接触法来研究和测量半导体晶体微区特性的方法,这种方法是基于扫描电镜中控测半导体的表面电子束激励电势(SEBIV)法来研究半导体的电物现特性和测量半导体电物现参数.本文讨论了一种测量半导体晶体的非平衡载流子的扩散长度L和寿命τ的方法.本文还讨论了用本方法可观测到的表面电子束激励电势图像衬度的形成和它与扫描方向、半导体材料的物理特性和表面激励电势极性的关系.

机标关键词：表面、电子束激励、半导体晶体、材料的物理特性、方法、电势、测量、微区特性、图像衬度、扫描方向、扫描电镜、扩散长度、非接触法、载流子、可观测、非平衡、寿命、极性、参数

所属期刊栏目：19

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：国家科学技术部和国家自然科学基金委员会资助研究项目

在线出版日期：2006-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：577-578