聚焦离子束(FIB)的透射电镜制样

摘要：

@@ 亚微米IC芯片的发展,对于TEM在IC的失效分析和工艺监控过程中所担负的工作提出了越来越高的要求.许多方法和手段被用于解决TEM制样这个问题[1].FIB技术被证明为现今最有效的精确定位制样的方法[2].原有TEM制样技术的定位减薄难,单次制样成功率低,且对单一器件的定位能力差的难题,可通过电视监测和聚焦离子磨削的方法加以克服.利用这种技术,可以完成以往难以实现的IC芯片的精密定位制样工作,使透射电镜在亚微米级IC的分析中达到实用性阶段.本文介绍该技术使用的具体方法.

机标关键词：聚焦离子束、透射电镜、制样技术、TEM analysis、方法、精确定位、亚微米级、芯片、失效分析、精密定位、监控过程、技术使用、定位能力、电视监测、成功率、证明、器件、磨削、工艺

所属期刊栏目：19

分类号：TB3(工程材料学)

在线出版日期：2006-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：513-514