聚焦离子束在外延生长氮化镓薄膜失配位错研究中的应用

摘要：

@@ 氮化镓具有直接能量带隙(3.4eV)适合用作短波长发光器件,具有非常广泛的应用前景[1].氮化镓薄膜(厚度约为μm量级)的制备一般均采用异质处延生长的方法.由于受到衬底材料的限制(常用的衬底为三氧化二铝,单晶硅,砷化镓等),使衬底材料与外延薄膜在晶体结构和物理性质方面有所差异,如晶胞参数的不同和热膨胀系数的差异.这些差异在外延生长的薄膜中引起失配应力和应变.当外延薄膜的厚度达到临界厚度时,外延薄膜中的失配应力和应变均达到极大值.继续外延生长超过临界厚度时,就会在外延薄膜中引入失配位错来释放失配应力,降低失配能量.失配应力及失配能量的释放是一个随着外延薄膜厚度的增加而缓慢进行的过程.在薄膜的外延生长全过程中始终有残余失配应力和应变存在,随着外延薄膜厚度的增加,残余失配应力和应变不断的被释放出来,必将不断的在外延薄膜中引入失配位错和结构缺陷.因此薄膜的外延生长过程,同时也是失配位错和结构缺陷不断的产生,发展和变化的过程[2].全面地了解失配位错和结构缺陷的显微结构,分布及其变化,对于制备质量优良的异质外延生长功能薄膜具有十分重要的意义.

机标关键词：聚焦离子束、异质外延生长、氮化镓薄膜、失配位错、应用前景、外延薄膜、应力和应变、结构缺陷、临界厚度、衬底材料、薄膜厚度、能量的释放、三氧化二铝、热膨胀系数、制备质量、显微结构、物理性质、晶体结构、晶胞参数、功能薄膜

所属期刊栏目：19

分类号：TB3(工程材料学)

在线出版日期：2006-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：503-504