碳化硅晶须抗氧化性能的TEM研究

摘要：

@@ 碳化硅是最好的晶须材料之一,在用碳热还原法合成碳化硅纳米晶须时,原料中碳往往过量10wt.%左右.碳过量有利于碳化硅纳米晶须的形成和产率的提高,过量的碳一般采用在空气中高温氧化的方法除去.碳化硅纳米晶须抗氧化性能的好坏,直接影响到脱碳温度和时间的选择,以达到既除去样品中的碳又防止碳化硅纳米晶须大量氧化的目的.本文利用透射电子显微镜对碳化硅纳米晶须的抗氧化性能进行了初步研究.

机标关键词：碳化硅晶须、抗氧化性能、纳米晶须、透射电子显微镜、碳热还原法、晶须材料、高温氧化、除去、中碳、原料、样品、选择、温度、脱碳、空气、合成、方法

所属期刊栏目：19

分类号：TB3(工程材料学)

在线出版日期：2006-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：483-484