硅基多孔氧化铝薄膜微结构的TEM研究

摘要：

@@ 阳极氧化多孔氧化铝薄膜(anodic porous alumina film,APA)作为模板的应用已引起广泛关注.它的优点在于其主要的特征参数如孔径(1～300nm)、孔长(10～3000nm)及孔密度(108～1011cm-2)都可以用选择不同腐蚀电压的方法来加以控制,孔的长度直径比可达1000以上[1],而且在理想的APA膜中,孔阵列规则排列为蜂巢状六方结构[2].这一特点为大面积原位合成规则排列纳米量子点/线材料提供了重要保证.考虑到和当前主流硅集成半导体工业相匹配,硅基多孔氧化铝薄膜(Si-based anodic porous alumina film,APA/Si)的应用已见报道[3,4].我们研究发现当孔径小于10nm时,APA/Si膜孔结构已变得不规则,这极大影响了它在纳米材料原位合成方面的应用.我们研究APA/Si膜的结构特征,以期探索制备它的优化条件.

机标关键词：硅基多孔氧化铝、薄膜微结构、porous alumina film、多孔氧化铝薄膜、原位合成、应用、合成规则、纳米量子点、半导体工业、优化条件、阳极氧化、特征参数、排列、纳米材料、膜孔结构、六方结构、孔径、结构特征、直径比、线材料

所属期刊栏目：19

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金59832100;国家攀登计划

在线出版日期：2006-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：473-474