硅基多孔氧化铝薄膜的解理断裂特性

摘要：

@@ 近年来,人工制备量子点、量子线等纳米结构材料引起了广泛关注.通常的制备方法有电子束刻蚀、离子束刻蚀、X射线刻蚀、电子全息成像刻蚀等.这类方法所能达到的最低尺度为≥10nm[1].而阳极氧化多孔氧化铝的最小孔径可达1nm[2],其特征参数如孔径(1～300nm)、孔长(10～300nm)及孔密度(108～1011cm-2)都可以用选择不同腐蚀电压的方法来加以控制,而且孔的长度直径比可达1000以上,所以,作为模板,多孔氧化铝薄膜在纳米材料制备方面有其独到之处.但是,多孔氧化铝薄膜容易卷曲、断裂,这一缺点影响它在纳米工业中的应用.本文利用电镜研究阳极氧化硅基多孔氧化铝薄膜的断裂解理特性,以期为制备高质量的多孔氧化铝模板提供有价值的线索.

机标关键词：硅基、多孔氧化铝薄膜、断裂解理特性、断裂特性、阳极氧化、离子束刻蚀、多孔氧化铝模板、纳米结构材料、纳米材料制备、制备方法、电子束刻蚀、特征参数、人工制备、全息成像、小孔径、电镜研究、直径比、有价值、量子线、量子点

所属期刊栏目：19

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金59832100;国家攀登计划

在线出版日期：2006-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：471-472