层状钙钛矿铁电薄膜的层错结构研究

摘要：

@@ 由于铁电薄膜具有工作电压低、读写速度快及较好的耐久性等优点,在非易失存储器(FRAM)方面受到人们的广泛重视.在过去的十年里,研究的重点集中在Pb(Zr,Ti)O3(PZT)系铁电薄膜材料,但由于该系材料存在严重的疲劳现象,限制其在FRAM器件上的应用.近年来,铋系层状钙钛矿结构的铁电薄膜材料在FRAM器件中的应用与日俱增.SrBiTa2O9(SBT)铁电薄膜作为铋系层状钙钛矿结构材料的代表,它具有优良的耐疲劳特性(极化反转次数高达1012次)和较好的保持力特性,成为制备FRAM器件的首选材料[1].虽然人们对SBT铁电薄膜的制备工艺、电学性能及光学性能进行了大量的研究,但有关其缺陷及微结构对铁电性能的影响报道非常少,主要原因是由于其结构比较复杂,难于在原子尺度上对其结构缺陷进行表征.本文利用高分辨电子显微术(HRTEM)研究了铋过量10mol%的SBT铁电薄膜的层错结构缺陷.结果表明该层错是由垂直于C轴多余的Bi-O面插入层构成,它来源于薄膜中过量的氧化铋.本文还讨论了层错对SBT铁电薄膜性能及耐疲劳特性的影响.

机标关键词：层状钙钛矿结构、铁电薄膜、结构研究、ferroelectric thin films、layered perovskite、耐疲劳特性、薄膜材料、结构缺陷、高分辨电子显微术、器件、非易失存储器、制备工艺、原子尺度、应用、铁电性能、它来源于、疲劳现象、结构材料、结构比较、极化反转

所属期刊栏目：19

分类号：TB3(工程材料学)

在线出版日期：2006-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：465-466