10.3969/j.issn.1000-6281.2000.04.009
球磨Si50C50混合粉末合成SiC的高分辨电镜观察
@@ SiC作为一种重要的工业原料,可以利用很多方法制备而成.工业用的SiC通常采用传统的Acheson过程,用碳还原SiO2,温度需达到2000℃~2300℃[1].文献[2,3]报道了在室温球磨 Si50C50 混合粉末可获得SiC.但是在这些文献中,所提供的证据均来自于X射线衍射,透射电镜以及扫描电镜等的实验结果,没有提供直观的原子尺度观察,因而对于其微观反应机制的理解缺乏足够的证据.
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TB3(工程材料学)
国家自然科学基金59671031
2006-09-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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