[Si(Pc)O]n晶体在NaCl单晶衬底上的外延生长

摘要：

电子衍射实验表明,当单体酞菁硅二醇Si(Pc)(OH)2在NaCl单晶(100)解理面上气相沉积时,所得的聚酞菁硅氧烷[Si(Pc)O]n薄膜晶体中的分子链轴相对于膜面的取向,随衬底温度的升高而发生有规律的变化:不确定(150℃)→平行→平等+垂直→垂直(350℃).高分辨电子显微像显示,与其在固态聚合时的情形不同,气相沉积时所得的[Si(Pc)O]n微晶主要属于四方晶系,只有少量属于带心的正交晶系.上述平行或垂直,四方或带心正交的结晶行为与衬底超晶格的诱导结晶有关.

关键词：聚酞菁硅氧烷、导电聚合物、分子像、高分辨电子显微术、外延生长晶体

所属期刊栏目：17

分类号：O78;TN304.054;O766.1(晶体生长)

在线出版日期：2004-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：734-738