10.3969/j.issn.1000-6281.1998.02.016
半导体ZnTe/GaAs界面层错的高分辨显微分析
本项研究对经热壁外延(HWE)生长在GaAs基底上的ZnTe进行高分辨显微结构的观察.在ZnTe/GaAs界面上不仅存在着混合型全位错的扩展,而且首次发现类似螺旋位错分解的层错,并将其归结为原子在不全位错之后的堆积.
层错、螺旋位错、Shockley不全位错、ZnTe/GaAs异质结构
17
TN3(半导体技术)
2004-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共1页
0