基于Nand Flash的高速存储器结构设计

摘要：

Nand Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。为了设计大容量、高存储速度、易扩展的存储系统，本文通过分析理论存储速度，结合直接存储器访问（DMA）技术、交替双平面编程和流水线技术，设计了一种高效的高速存储体系结构。本文同时利用并行存储技术来提高存储速度。通过对此存储系统的存储速度进行分析，结果表明理论最高存储速度可以达到319．2 MB/s，在某弹载存储器中能实现200 MB/s的实际数据存储速度。

关键词：高速存储系统、DMA、流水线技术、交替双平面编程、并行存储技术

分类号：TP277(自动化技术及设备)

资助基金：中国工程物理研究院总体工程研究所创新基金13cxj30

在线出版日期：2015-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：4-7