具有艾宾浩斯遗忘规则的忆阻联想记忆电路

摘要：

忆阻器由于具有低功耗、记忆能力和纳米尺寸等特点,是实现人工神经突触的理想器件.为构建简洁、高效、功能全面地联想记忆电路,该文首先提出一种简单的神经元电路和基于压控阈值忆阻器的突触电路.然后根据巴甫洛夫联想记忆模型,设计了相应的联想记忆电路.电路结构简单,仅包含3个神经元电路和突触电路,可有效降低网络复杂度和功耗.尤为重要的是该电路可以模拟全功能的联想记忆行为,不但实现了学习、遗忘、加速学习、减速遗忘以及减速自然遗忘等功能,而且学习速率和自然遗忘速率能够根据学习的次数自动调整,使电路更具仿生性.此外,该电路与艾宾浩斯遗忘曲线相吻合,扩大了电路的适用范围.

关键词：忆阻器、联想记忆电路、艾宾浩斯遗忘、减速自然遗忘

所属期刊栏目：44

分类号：TN601(电子元件、组件)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：3657-3665