忆阻开关混沌电路及其吸引子共存现象研究
为了研究忆阻开关电路的动力学行为,该文提出一种具有多吸引子共存现象的忆阻开关混沌电路.在该电路中存在多吸引子分岔,当系统中发生边界碰撞之后,系统中将产生不同的吸引子共存现象.其中包括单周期极限环与混沌吸引子共存,不同的混沌吸引子共存,对称的2周期极限环共存现象,以及对称的2周期极限环与5周期极限环共存现象等.该文通过相图、分岔图等数值仿真,分析了该电路的动力学行为,并利用PSIM电路仿真验证了其电路的可行性,对开关电路中多吸引子共存现象和混沌应用的研究具有重要意义.
忆阻器;开关电路;多吸引子分岔;共存吸引子
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TN601(电子元件、组件)
国家重点研发计划2018AAA0103300
2021-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
3758-3765