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10.11999/JEIT210026

局部有源忆阻器电路及其在HR耦合神经元网络中的应用

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该文提出一种新型局部有源忆阻器,使用标准非线性理论分析方法分析其特性,并通过直流伏安特性曲线来证明其局部有源性.此外,将局部有源忆阻器用于模拟生物突触,构建了一个局部有源忆阻突触耦合HR神经元网络.理论分析和数值仿真表明,在局部有源忆阻突触的影响下它能够产生多种放电模式和复杂的混沌行为.最后,实现了该局部有源忆阻突触耦合神经网络的模拟等效电路,并由功率模拟(PSIM)电路仿真验证了数值仿真的正确性.

局部有源忆阻器;HR神经元;放电模式;混沌;模拟电路

43

TN711.4;TN601(基本电子电路)

安徽省自然科学研究重点项目;安徽省教学研究一般项目

2021-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共10页

3374-3383

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1009-5896

11-4494/TN

43

2021,43(11)

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