宽中频CMOS下变频器单片

摘要：

该文介绍了一种工作于毫米波频段的宽中频(IF)下变频器.该下变频器基于无源双平衡的设计架构,片上集成了射频(RF)和本振(LO)巴伦.为了优化无源下变频器的增益、带宽和隔离度性能,电路设计中引入了栅极感性化技术.测试结果表明,该下变频器的中频带宽覆盖0.5～12?GHz.在频率为30?GHz、幅度为4?dBm的LO信号驱动下,电路的变频增益为–8.5～–5.5?dB.当固定IF为0.5?GHz、LO幅度为4?dBm时,变频增益随25～45?GHz的RF信号在–7.9～–5.9?dB范围内变化,波动幅度为2?dB.LO-IF,?LO-RF,?RF-IF的隔离度测试结果分别优于42,?50,?43?dB.该下变频器芯片采用TSMC?90?nm?CMOS工艺设计,芯片面积为0.4?mm2.

关键词：CMOS集成电路、毫米波、变频器、宽中频

所属期刊栏目：43

分类号：TN773(基本电子电路)

资助基金：河北省省级科技计划18960202D

在线出版日期：2021-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1603-1608