基于忆阻器的感存算一体技术综述

摘要：

忆阻器的低功耗、高响应、纳米级、非易失性等特性,在实现非冯·诺依曼计算架构中展现出巨大潜力.基于忆阻器的高密度横梁阵列可实现数据存储及并行计算一体的逻辑电路和类脑计算电路.此外,纳米传感器与忆阻器进一步集成,采集的信号直接送往忆阻器阵列进行运算和存储,感知、存储与计算一体化的芯片技术成为新的研究热点.该文对基于忆阻器的存算一体技术、感存算一体技术的研究现状进行综述,并给出研究前景展望.

关键词：忆阻器、感存算一体、非冯·诺依曼计算架构

所属期刊栏目：43

分类号：TN601(电子元件、组件)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;中央高校基本科研业务费专项;中国科学院红外成像材料与器件重点实室开放课题

在线出版日期：2021-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：1498-1509