一种快速响应无片外电容低压差线性稳压器
为了改善负载跳变对低压差线性稳压器(LDO)的影响,该文提出一种用于无片外电容LDO(CL-LDO)的新型快速响应技术.通过增加一条额外的快速通路,实现CL-LDO的快速瞬态响应,并且能够减小LDO输出过冲和下冲的幅度.该文电路基于0.18μm CMOS工艺设计实现,面积为0.00529 mm2.流片测试结果表明,当输入电压范围为1.5~2.5 V时,输出电压为1.194 V;当负载电流以1μs的上升时间和下降时间在100μA~10 mA之间变化时,CL-LDO的过冲恢复时间为489.537 ns,下冲恢复为960.918 ns;相比未采用该技术的传统CL-LDO,响应速度能够提高7.41倍,输出过冲和下冲的电压幅值能够分别下降35.3%和78.1%.
低压差稳压器、无片外电容、快速瞬态响应、面积小
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TN431.2(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金61674122,61804124;陕西省创新人才推进计划2017KJXX-46;陕西省高层次人才特殊支持计划2018-36
2019-12-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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