超高频射频识别近场系统互耦效应中频率偏移研究

摘要：

在超高频射频识别(UHF RFID)系统近场(NF)密集标签应用中,由于微带标签天线的结构特点,传统线圈间互阻抗表达式在预估系统频率偏移等互耦效应问题方面误差较大,精确性不够.首先,基于变压器模型,从无线电能传输的角度推导了近场密集标签间的互阻抗表达式.然后,结合近场电感耦合型标签,通过建立电磁仿真模型间接获取有关电气参数值.最后,验证推导公式并从影响双标签间互阻抗的环境因素角度去研究UHF RFID近场频率偏移问题.测试结果表明,当标签间距小于30 mm时,推导的互阻抗表达式应用于频率偏移计算误差范围为1.6～7.3 MHz.研究结果为基于标签间互阻抗预估UHF RFID近场标签间的互耦效应问题提供了参考依据.

关键词：超高频近场、互耦效应、频率偏移、变压器模型、互阻抗

所属期刊栏目：41

分类号：TN801;TP391.45(无线电设备、电信设备)

资助基金：国家自然科学基金51577046, 51637004;国家重点研发计划2016YFF0102200

在线出版日期：2019-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：602-610