一种AlGaN/GaN HEMT非线性器件模型参数提取的方法

摘要：

该文提出一种新的绝对误差函数,应用该函数进行非线性模型参数提取可以避免计算误差,显著降低参数提取的不准确性.由于氮化物半导体器件,尤其是AlGaN/GaN HEMT器件已经开始得到广泛应用,其模型和参数对射频和电力电子器件和电路设计至关重要,分别使用3种误差函数对AlGaN/GaN HEMT器件模型进行了参数提取并对比,对比结果表明该文提出的误差函数更加精确和有效.同时为今后的电子器件的模型参数提取提供了一种有效且精确的方法.

关键词：AlGaN/GaNHEMT、绝对误差函数、参数提取、遗传算法

所属期刊栏目：39

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61574112;陕西省自然科学基础研究计划605119425012 The National Natural Science Foundation of China61574112;The Natural Science Foundation Research Project of Shaanxi Provience605119425012

在线出版日期：2017-12-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3039-3044