PMOS晶体管工艺参数变化对SRAM单元翻转恢复效应影响的研究

摘要：

基于Synopsys公司3D TCAD器件模拟,该文通过改变3种工艺参数,研究65 nm体硅CMOS工艺下PMOS晶体管工艺参数变化对静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)存储单元翻转恢复效应的影响.研究结果表明:降低PMOS晶体管的P+深阱掺杂浓度、N阱掺杂浓度或调阈掺杂浓度,有助于减小翻转恢复所需的线性能量传输值(Linear Energy Transfer,LET);通过降低PMOS晶体管的P+深阱掺杂浓度和N阱掺杂浓度,使翻转恢复时间变长.该文研究结论有助于优化SRAM存储单元抗单粒子效应(Single-Event Effect,SEE)设计,并且可以指导体硅CMOS工艺下抗辐射集成电路的研究.

关键词：静态随机存储器、线性能量传输值、翻转恢复时间、单粒子效应

所属期刊栏目：39

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金61674002, 61474001, 61574001 The National Natural Science Foundation of China 61674002, 61474001, 61574001

在线出版日期：2017-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2755-2762