基于缩短极化码的MLC NAND Flash差错控制技术研究

摘要：

为了提高MLC NAND Flash的抗误码性能,该文提出一种基于优化缩短极化码的MLC NAND Flash差错控制方法.优化缩短极化码通过优化删减图样得到,首先通过比特翻转重排序的方式得到基本删减图样,进而选择具有更低信道容量的冻结比特组成优化删减图样,使得到的删减比特全为冻结比特,可以显著提高删减算法的纠错性能.同时,根据MLC单元错误的不对称性,采用码率自适应的码字对FLASH中MSB和LSB进行不等错误保护.仿真结果表明:当误帧率为10-时,优化缩短极化码较相同码长的LDPC码和基本缩短极化码分别约有33.72~5.89 dB和1.47~3.49 dB增益;相比基于同一码率的优化缩短极化码方案,不等错误保护的差错控制方案获得约0.25 dB增益.

关键词：极化码、多层单元、NANDFlash、缩短码、不等错误保护

所属期刊栏目：39

分类号：TN911.22

资助基金：浙江省自然科学基金LY16F010013;浙江省重点科技创新团队基金2013TD03;国家自然科学基金61401130 The Natural Science Foundation of Zhejiang ProvinceLY16F010013;The Key Science and Technology Innovation Team Foundation of Zhejiang Province2013TD03;The National Natural Science Foundation of China61401130

在线出版日期：2017-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1658-1665