嵌入式存储器空间单粒子效应失效率评估方法研究
嵌入式存储器易受到空间单粒子效应(Single-Event Effects, SEE)的影响。该文提出了一种单粒子效应失效率评估的方法,包含了单粒子翻转和单粒子瞬态扰动等效应对嵌入式存储器不同电路单元的具体影响,可对不同存储形式、不同容错方法的嵌入式存储器单粒子效应失效率进行定量评估。该文提出的评估方法在中国科学院电子学研究所自主研制的嵌入式可编程存储器试验芯片上得到了验证,地面单粒子模拟实验表明该文方法预测的失效率评估结果与实验测试结果的平均偏差约为10.5%。
片上系统、嵌入式存储器、单粒子效应(SEE)、失效率、评估
TN432(微电子学、集成电路(IC))
中国科学院、国家外国专家局创新团队国际合作伙伴计划资助及国家科技重大专项2013ZX03006004资助课题
2015-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
3035-3041