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10.3724/SP.J.1146.2013.00717

同时同频全双工LTE射频自干扰抑制能力分析及实验验证

引用
同时同频全双工本地发射信号会对本地接收信号产生强自干扰,为了使信号能够通过射频接收通道及模数转换器件,需要在射频前端进行自干扰抑制。在自干扰为直射路径的条件下,该文采用直接射频耦合法,对长期演进(LTE)同时同频全双工自干扰抑制进行实验测试;分析推导了自干扰功率、带宽及线缆、幅度、相位调整误差对射频自干扰抑制能力的影响;得到了射频自干扰抑制能力的闭合表达式。分析表明对于20 MHz 带宽,-10 dBm接收功率的LTE射频自干扰信号,理论上能抑制54 dB的射频自干扰,而实验测试结果表明能抑制51.2 dB。

无线通信、全双工、自干扰、射频抑制、长期演进(LTE)

TN92

国家自然科学基金61271164, U1035002/L05,61001087,61101034;国家科技重大专项2014ZX03003001-002,2012ZX 03003010-003,2011ZX03001-006-01;中国航天科技集团公司卫星应用研究院创新基金

2014-03-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

662-668

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