考虑MOS效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型

摘要：

该文采用求解泊松方程等数学方法，提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV，对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型，得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时，对于锥型TSV侧面倾角为75°,80°,85°和90°4种情况，多个参数变化时解析模型最大均方根误差分别为6.12%,4.37%,3.34%和4.84%，忽略MOS效应时，最大均方根误差分别达到210.42%,214.81%,214.52%和211.47%，验证了该解析模型的准确性和考虑MOS效应的必要性。Ansoft HFSS仿真结果表明，考虑MOS效应以后S11的最大减幅大约为19 dB,21S 的最大增幅大约为0.01 dB，锥型TSV的传输性能得到改善。

关键词：集成电路、锥型硅通孔、寄生电容、MOS效应、泊松方程

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金61006028,61204044资助课题

在线出版日期：2013-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：3011-3017