一种2.4GHz全集成SiGeBiCMOS功率放大器
针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用,该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA).由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度,因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积.在基极偏置的DC通路中采用电阻负反馈实现温度稳定功能,有效避免热崩溃的同时不引起射频损耗.采用了GRACE 0.18 μm SiGe BiCMOS工艺流片,芯片面积为1.56 mm2,实现了包括所有偏置电路和匹配电路的片上全集成.测试结果表明,在2.4-2.5 GHz工作频段,PA的小信号增益S21达23 dB,输入回波损耗S11小于-15 dB.PA的1 dB输出压缩点的线性输出功率为19.6 dBm,功率附加效率为20％,功率增益为22 dB.
SiGe BiCMOS、功率放大器、全集成、自适应偏置
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TN402;TN722(微电子学、集成电路（IC）)
科技部"核高基"国家科技重大专项2009ZX0 1034-002-002-001;上海市国际合作计划基金09700713800资助课题
2012-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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