基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源

摘要：

该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源.电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR).整个电路采用SMIC 0.18mm 标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-15～70℃范围内的温度系数为10.8ppm/℃,直流PSRR为74.7dB,在10Hz~1MHz频带内的总的输出噪声电压为148.7mV /sqrt(Hz).

关键词：带隙电压基准源、负反馈箝位、温度稳定性

所属期刊栏目：30

分类号：TN431.2(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金60476046,60676009资助课题

在线出版日期：2008-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1517-1520