SiC表面氢化研究

摘要：

该文提出6H-SiC((0001))/SiO2间过渡层的概念和过渡层结构,通过分析过渡层与HF溶液的反应机理,建立湿化学处理中的SiC表面氢化模型.模型以氢钝化SiC表面悬挂键,降低SiC表面的界面态密度,消除了费米能级钉扎,获得理想的SiC表面.将此模型用于SiC/金属接触的SiC表面处理,在100℃以下制备了理想因子n=1.2～1.25的肖特基结和比接触电阻ρc=5×10-3Ω·cm2～7×10-3Ω·cm2的SiC欧姆接触,其优点在于不仅避免了欧姆接触800～1200℃的高温合金,而且改善了肖特基接触的电学特性.SiC表面模型与实验结果吻合较好.

关键词：过渡层、氢化、界面态、费米能级钉扎、理想因子

所属期刊栏目：28

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2006-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2191-2194