短沟DMOS阈值电压模型
该文提出了短沟DMOS阈值电压模型.基于沟道区耗尽电荷的二维分布,计算沟道区中耗尽电荷总量,由此给出短沟DMOS阈值电压模型的计算式.该模型的解析解与二维仿真器MEDICI的数值解吻合.分析表明,DMOS沟道长度小于0.80t m,就应考虑短沟效应.
DMOS、阈值电压、短沟效应
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TN303;TN386.1(半导体技术)
国家自然科学基金60076030,60276040;国家重点实验室基金2000JS09.7
2005-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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