平面薄膜场致发射的模型分析

摘要：

该文系统地讨论宽带隙平面薄膜的场致电子发射(FEE)的机理.基本的理论模型是电子对表面势垒的隧穿效应,同时考虑到晶格的散射和薄膜势垒中微细贯穿通道的电子发射作用.分析结果表明,宽带隙平面薄膜结构用作场致电子发射阴极,具有发射电压的阈值低,发射电子的能量分布范围小等优点.另外这种结构制作简单、材料选择范围宽、理化稳定性好,是一种理想的场致发射电子源.

关键词：薄膜、场致发射、模型

所属期刊栏目：23

分类号：O462 4;TB43(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金69776023;跨行业基金00J8.2.1 DZ0127;国家部级科研项目0OJS02.6.1.DZ0164

在线出版日期：2003-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：929-932