2 GHz～4.2 GHz MMIC低噪声放大器设计

摘要：

本次设计采用0.25 um GaAs E-Mode pHEMT工艺,利用ADS仿真软件设计了一款工作在2 GHz～4.2 GHz的MMIC低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA).该放大器采用单电源供电的两级放大结构,通过在晶体管源极加入高精度的小电感负反馈元件改善输入回波损耗,以及采用栅极与漏极之间并联RCL负反馈的结构改善增益平坦度和拓宽带宽.仿真结果表明,在2 GHz～4.2 GHz频带内,增益大于30.7 dB,增益平坦度为±0.282 dB,噪声系数小于1.524 dB,输出1 dB压缩点大于16 dBm,输入输出回波损耗均大于16 dB,芯片面积为0.94×1.05 mm2.

关键词：微波单片集成电路;低噪声放大器;pHEMT;砷化镓

所属期刊栏目：16

分类号：TN722.3(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金资助项目;专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题;广西创新研究团队项目;广西精密导航技术与应用重点实验室项目

在线出版日期：2021-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：851-855,868