基于SDD技术的简单精确的GaAs HBT经验模型

摘要：

Agilent模型的等效电路可以较好地表征器件的物理特性,但是其中的直流和交流表达式较为复杂,鉴于此,文中在Agilent HBT模型等效电路的基础上,利用符号自定义(SDD)技术,提出了一种简单且精确的经验模型.该模型直流部分采用VBIC模型中的直流表达式,交流部分采用经验表达式,使得模型得以简化,参数提取难度大大降低.采用1 μm GaAs HBT器件,对本文所提出的经验的GaAs HBT器件模型进行验证.在对模型的参数进行完整提取的基础上,通过将Agilent HBT模型和所提出的经验模型的仿真结果与测试结果相对比,验证了所提出的经验模型的精确性.

关键词：Agilent HBT模型、VBIC模型、砷化镓异质结双极型晶体管、经验模型、参数提取

所属期刊栏目：15

分类号：TN322+.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目;河南省高等学校重点科研项目

在线出版日期：2020-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：894-899