基于双交叉耦合电容反馈的超低功耗高线性LNA

摘要：

提出了一种基于双交叉耦合电容反馈技术的CMOS共栅低噪声放大器(LNA).第一个反馈环路利用交叉耦合技术以提高电路跨导;另一个反馈环路在晶体管的源漏两级之间采用交叉耦合共栅技术实现电压电流反馈.提出的LNA在低功耗的前提下取得了优越的性能,基于0.18 μmCMOS工艺,对该LNA流片实现并测试.测试结果表明LNA芯片在2.4 GHz频率下的增益为18 dB,噪声系数为2.02 dB,输入三阶截止点IIP3为8.3 dBm,输入匹配参数S11和输出匹配参数S22均低于-10 dB,在1.1V电压供电下功耗为2.5 mW.

关键词：输入三阶截止点、高线性、低噪声放大器、负反馈

所属期刊栏目：13

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：湖北省教育厅科研处“基于物联网的家庭医疗保健系统的研究和设计”项目鄂科教函[2016]13号

在线出版日期：2018-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：326-330