面向三维集成封装的硅通孔电特性分析

摘要：

主要针对三维集成封装中的关键技术之一的硅通孔互连技术进行电性能研究。首先简要介绍了硅通孔互连技术的背景，利用三维全波电磁仿真软件建立地．信号一地TSV模型，对其TDR阻抗和时域TDR／TDT信号进行分析，同时仿真分析了TSV互连线及介质基板所使用的材料和TSV半径、高度、绝缘层厚度等物理尺寸对三维封装中TSV信号传输性能的影响。研究结果可为工程设计提供有力的技术参考，有效地用于改善互连网络的S21，提高三维集成电路系统的性能。

关键词：硅通孔、三维集成、TDR/TDT、时域、物理尺寸、电导率、信号传输性能

所属期刊栏目：7

分类号：TN702(基本电子电路)

在线出版日期：2012-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：302-306