发展中的GaN微电子(一)

摘要：

GaN微电子是继GaAs微电子之后在21世纪新发展起来微电子领域的国际战略制高点.从功率密度、高频性能、增强型器件与数字电路等方面阐述了GaN微电子最新的关键技术突破,并介绍了GaN微电子从UHF频段到3 mm波段在通讯、雷达和电子对抗等领域的应用研究进展.从GaN HEMT器件的电流崩塌、栅漏电流、逆压电效应、热电子和热声子效应等失效机理分析入手,综述了GaN微电子可靠性研究的进展.最后展望了GaN微电子发展机遇.

关键词：GaN、HEMT、微波单片集成电路、增强型、放大器、可靠性

所属期刊栏目：6

分类号：TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2011-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：256-262