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10.3969/j.issn.1673-5692.2011.01.001

微带阵列天线单元耦合与辐射场合成特性研究

引用
独立设计了一款S波段,带宽115 M的微带天线,并用其组成了两种阵列天线形式,分析了其单元耦合特性的不同,并用电屏蔽介质分析了去耦对辐射场的影响.进而,从软件仿真和理论分析两个角度重点分析了微带天线辐射场直接合成的方向图特性,得到了增益、辐射场、主副瓣与单元间距的关系,对未来设计微带阵列天线起到了前期预测天线特性的参考意义.

微带阵列天线、单元耦合、辐射场合成

6

TN957.2

973 资助项目;超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究2010CB327506

2011-07-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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中国电子科学研究院学报

1673-5692

11-5401/TN

6

2011,6(1)

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