非致冷InAsSb中长波红外探测器研究评述

摘要：

作为一种新兴的红外光电材料,InAsSb由于其禁带宽度窄、电子迁移率极高等优良特性受到了世界各国的广泛关注.InAsSb探测器的优势在于:对中长波红外波段的探测而言,其在室温下也具有很高的探测率,同时InAsSb探测器具有比HgCdTe探测器更高的响应速度.这些优势使得InAsSb探测器可制成非致冷型红外探测器,容易实现仪器的小型化,大大降低成本,在某些场合成为能够取代HgCdTe的理想材料.文章分别对InAsSb探测器国内和国外的研究近况作一简要评述,从而显示出在中长波红外波段InAsSb材料广阔的应用前景.

关键词：InAsSb、探测器、非致冷

所属期刊栏目：5

分类号：TN211(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金优秀国家重点实验室项目60723001;上海市自然科学基金09ZR1435900

在线出版日期：2010-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：11-18