10.3969/j.issn.1673-5692.2010.01.002
非致冷InAsSb中长波红外探测器研究评述
作为一种新兴的红外光电材料,InAsSb由于其禁带宽度窄、电子迁移率极高等优良特性受到了世界各国的广泛关注.InAsSb探测器的优势在于:对中长波红外波段的探测而言,其在室温下也具有很高的探测率,同时InAsSb探测器具有比HgCdTe探测器更高的响应速度.这些优势使得InAsSb探测器可制成非致冷型红外探测器,容易实现仪器的小型化,大大降低成本,在某些场合成为能够取代HgCdTe的理想材料.文章分别对InAsSb探测器国内和国外的研究近况作一简要评述,从而显示出在中长波红外波段InAsSb材料广阔的应用前景.
InAsSb、探测器、非致冷
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TN211(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金优秀国家重点实验室项目60723001;上海市自然科学基金09ZR1435900
2010-04-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
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