磁控溅射AlN介质的14 W/mmAlGaN/GaN MIS-HEMT

摘要：

介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了凹槽栅和场板结构.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在2 GHz、75 V工作电压下,研制的200μm栅宽AlGaN/GaNMIS-HEMT输出功率密度达到了14.4 W/mm,器件功率增益和功率附加效率分别为20.51 dB和54.2%.

关键词：AlGaN/GaN、高电子迁移率晶体管、MIS、电流崩塌

所属期刊栏目：4

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2009-06-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：157-160