24～38 GHz GaAs单片低噪声放大器的研制

摘要：

介绍了24～38 GHz低噪声放大器MMIC的研制.分析了微波晶体管放大器的噪声特性,针对噪声系数和增益,利用软件进行电路仿真优化和电磁场分析,设计制作电路版图,在标准3 inGaAs工艺线进行工艺制作.采用电子束制作0.20 μm"T"形栅,利用选择腐蚀的方法准确控制有源器件的,I<,dss>和V<,p>,微波测试结果为在频带内的噪声系数小于3.8 dB,小信号增益大于13 dB,增益平坦度小于±0.6 dB,输入和输出驻波比小于2:1,微波性能与NORTHROP GRUMMAN公司的同类产品ALH140C的水平相当.

关键词：GaAs、低噪声放大器、"T"形栅、电路仿真、单片微波集成电路

所属期刊栏目：4

分类号：TN722.3(基本电子电路)

在线出版日期：2009-06-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：148-151