10.3969/j.issn.1673-5692.2009.02.005
微波大功率SiC MESFET及MMIC
利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究.研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20 mm栅宽器件在2 GHz脉冲输出功率达100 W.将四个20 mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率合成,合成器件的脉冲功率超过320 W,增益8.6 dB.在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC,在2~4 GHz频带内小信号增益大于10 dB,脉冲输出功率最大超过10 W.
SiC MESFET、微波功率、宽带、MMIC
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TN405(微电子学、集成电路(IC))
2009-06-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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