微波大功率SiC MESFET及MMIC

摘要：

利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究.研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20 mm栅宽器件在2 GHz脉冲输出功率达100 W.将四个20 mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率合成,合成器件的脉冲功率超过320 W,增益8.6 dB.在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC,在2～4 GHz频带内小信号增益大于10 dB,脉冲输出功率最大超过10 W.

关键词：SiC MESFET、微波功率、宽带、MMIC

所属期刊栏目：4

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2009-06-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：137-139