锗晶片化学机械抛光的条件分析

摘要：

在不同务件下(不同助剂比例和不同研磨液浓度),通过对锗化学机械抛光速率变化的研究,探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程,分析了助剂比例对抛光速率的影响.

关键词：抛光、锗晶片、机理分析

所属期刊栏目：3

分类号：TN305.1(半导体技术)

在线出版日期：2008-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：101-104