InGaP/GaAs HBT器件研究中的几个重要问题

摘要：

本文分析了InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)微波器件研制中的一些重要问题,优化了发射结阻挡层厚度,解决离子注入实现器件隔离的问题,设计制备出发射极尺寸为(3μm×40μm)×3的HBT单管,并进行了测试.

关键词：异质结双极晶体管(HBT)、InGaP/GaAs、阻挡层、离子注入

所属期刊栏目：1

分类号：TN385(半导体技术)

在线出版日期：2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：254-257