H型栅PMOS跨导双峰效应建模
H型栅SOI PMOS结构因为其抗辐照能力强,对称性较好,在SOI电路设计中得到广泛应用.但其跨导在栅电压变化时具有明显的双峰效应,而通用的BSIMSOI模型无法反映出该类器件的跨导双峰效应,为器件特性的仿真和预测带来了挑战.针对此问题,基于BSIMSOI仿真模型,利用子电路定义了两条并联的晶体管沟道,建立了H型栅PMOS结构的SPICE模型.该模型可有效表现SOI工艺下的PMOS器件的双峰效应.实验结果表明,与BSIMSOI相比,该文提出的模型误差均方根值(RMS)从6.91％下降至1.91％,同时,利用BSIMSOI的bin参数后,将W较小尺寸的模型RMS值降低了60％以上,可以良好地适用于SOI工艺H型栅PMOS结构建模和电路设计当中.
BSIMSOI、器件建模、H型栅PMOS、跨导双峰
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TN386(半导体技术)
2022-12-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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