X波段宽带幅相多功能芯片设计

摘要：

为了降低相控阵天线T/R组件的尺寸和成本,提高集成度,该文基于0.5μm GaAs pHEMT工艺,设计了一款X波段宽带幅相多功能芯片.芯片在架构设计方面除了集成传统的6位数字移相器、6位数字衰减器、单刀双掷开关和驱动放大器以外,新引入了2位数字延时器,实现了收发通道的幅相与时延的独立控制和单芯片集成,改善了宽带相控阵应用中的波束色散.在幅相特性方面,采用高低通移相网络和开关型衰减拓扑,实现平坦的移相、衰减特性,并有效降低了寄生调幅和附加相移.实测结果表明:8～12 GHz工作频带内,64态移相均方根(RMS)误差小于3.5°,寄生调幅RMS小于0.3 dB;64态衰减RMS误差小于0.4 dB,附加相移RMS小于2.5°;延时器延时误差小于1.5 ps.芯片尺寸为5.0 mm×3.5 mm.

关键词：衰减器、多功能芯片、移相器、T/R组件、延时器、X波段

所属期刊栏目：49

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国博士后科学基金;江西省教育厅科技计划

在线出版日期：2020-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：680-689