具有提高Q值退耦结构的MEMS谐振器研究

摘要：

为了提高MEMS谐振器的品质因数(Q值),该文设计一个微型的具有能量退耦作用的外框作为支撑结构.所设计的AlN压电谐振器工作在30 MHz横向振动模态,其Q值可以达到4.3×104,对应的f·Q乘积为1.29×1012.谐振器频率与外框的机械谐振频率比值约10:1,减小了谐振器到基底的能量耦合,从而降低能量损耗并提高谐振器Q值.通过理论和有限元分析并对谐振器的频率响应进行建模,两种方法的模型结果一致,说明了具有能量退耦外框的谐振器能降低锚点造成的能量损耗,从而有效地提高横向振动模态AlN压电谐振器的Q值.

关键词：AlN压电谐振器、退耦结构、MEMS、Q值

所属期刊栏目：47

分类号：TN713(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金U1430102

在线出版日期：2018-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：397-401