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10.3969/j.issn.1001-0548.2018.03.012

具有提高Q值退耦结构的MEMS谐振器研究

引用
为了提高MEMS谐振器的品质因数(Q值),该文设计一个微型的具有能量退耦作用的外框作为支撑结构.所设计的AlN压电谐振器工作在30 MHz横向振动模态,其Q值可以达到4.3×104,对应的f·Q乘积为1.29×1012.谐振器频率与外框的机械谐振频率比值约10:1,减小了谐振器到基底的能量耦合,从而降低能量损耗并提高谐振器Q值.通过理论和有限元分析并对谐振器的频率响应进行建模,两种方法的模型结果一致,说明了具有能量退耦外框的谐振器能降低锚点造成的能量损耗,从而有效地提高横向振动模态AlN压电谐振器的Q值.

AlN压电谐振器、退耦结构、MEMS、Q值

47

TN713(基本电子电路)

国家自然科学基金U1430102

2018-06-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

397-401

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1001-0548

51-1207/T

47

2018,47(3)

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