微晶柱状CsI（Tl）闪烁薄膜的裂纹形貌研究

摘要：

掺铊碘化铯(CsI(Tl))闪烁薄膜因其具有连续致密的微晶柱结构而被广泛应用。该文采用真空热蒸镀方法在单晶硅(Si)衬底和多晶铂硅(Pt/Si)衬底上制备不同厚度的CsI(Tl)薄膜，研究不同衬底上薄膜厚度增加过程中微晶柱结构中出现的裂纹形貌。不同厚度的CsI(Tl)薄膜制备工艺条件相同。通过X射线衍射图谱(XRD)和扫描电子显微照片(SEM)表征CsI(Tl)薄膜的结晶质量和微晶柱结构形貌，研究不同衬底上CsI(Tl)薄膜的微晶柱结构在生长过程中发生的变化。建立CsI(Tl)薄膜的微结构模型研究单晶薄膜中晶面间距对薄膜微晶柱结构的影响。

关键词：CsI(Tl)闪烁薄膜、晶面间距、微晶柱、SEM、XRD

所属期刊栏目：45

分类号：O7(晶体学)

资助基金：国家973项目2012CB315701；国家自然科学基金61177035；四川省国际合作项目2013HH0002；四川省科技支撑项目12ZC0245Foundation item:973 Program of China2012CB315701;the National Natural Science foundation of China61177035;Sichuan Provincial International Cooperation Project2013HH0002;Sichuan Provincial Science and Technology Support Project12ZC0245

在线出版日期：2016-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：684-688