嵌入吸收式单刀八掷开关电路

摘要：

提出了一种嵌入吸收式单刀八掷开关电路结构。利用PIN二极管的通断特性，设计了1个在14～18 GHz频率范围内的吸收式单刀八掷(SP8T)开关电路，导通损耗小于3.9 dB，输出端回波损耗大于10 dB；隔离度大于60 dB，输入、输出端回波损耗大于12 dB。该电路将吸收电阻嵌入在基片下接地板内，相比传统结构的吸收式开关电路，具有在导通状态下损耗略小；在关断状态下输出端反射信号较小。该嵌入吸收式结构也可应用于吸收式的衰减电路及限幅电路中。

关键词：嵌入吸收式、匹配电路、寄生参数、单刀八掷开关、表面波

分类号：TN99;O44

在线出版日期：2015-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：830-834