维持电压和失效电流线性可调节的高压ESD器件

摘要：

为了研究可控硅结构的静电释放保护器件结构尺寸与性能的关系，采用0.5μm的5 V/18 V CDMOS工艺流片两组SCR ESD器件，使用传输线脉冲测试系统测试器件的性能参数。实验结果表明，随着N阱内P+区和P阱内N+区间距从6μm增加到22μm，ESD器件的维持电压线性增大，从2.29 V升高到9.64 V，幅度达421%；单位面积的失效电流线性减小，幅度约为63%。分析与仿真结果表明，该线性关系具有普遍适用性，可用于调节器件的健壮性和功率耗散能力，满足智能功率集成电路的高压ESD防护需求。另一组随着P阱内P+区和N+区间距增大，维持电压和失效电流呈现非线性的变化，但触发电压迅速降低，可用于实现高压SCR ESD器件的低触发电压设计。

关键词：静电放电、失效电流、维持电压、可控硅

分类号：TN335(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61350007

在线出版日期：2015-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：700-704