Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究

摘要：

在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO 2薄膜进行了1100℃以下不同温度的退火，采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO 2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明，600℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示，600℃退火后LO峰强度最强，认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO 2/SiC MOS结构SiO2的漏电特性研究表明，600℃退火后的SiO2薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级。在外加反向偏压5 V时，漏电流密度仅仅只有5×10-8 A/cm2。600℃退火能显著地改善热氧化层SiO 2的致密性。

关键词：4H-SiC、退火温度、致密性、SiO 2

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金611760698；中央高校基本科研业务费专项资金ZYGX2011J031

在线出版日期：2014-04-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：292-295