AlN/Al2O3（0001）薄膜生长与吸附的表面界面结构研究

摘要：

针对氮化铝异质薄膜的制备，构建了两种AlN/Al 2 O 3(0001)材料生长模型，采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法，对α-Al 2 O 3(0001)表面吸附AlN进行了模拟计算。分析了AlN在表面的吸附位置及其表面界面结构，发现AlN相对具有氧六角对称结构的最近邻的表面Al-O键发生了30°的偏转，稳定的化学吸附消除了吸附前表面Al-O层的驰豫，从而有利于AlN薄膜的铅锌矿结构的形成。

关键词：AlN/Al2O3薄膜、计算机模拟、吸附生长、表面界面

分类号：O647;O793(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金50942025,51172150

在线出版日期：2013-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：784-786